规格书 |
BSB015N04NX3 G |
文档 |
Multiple Devices 12/May/2009 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 180A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.5 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 142nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 12000pF @ 20V |
功率 - 最大 | 89W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 3-WDSON |
供应商器件封装 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
P( TOT ) | 89W |
匹配代码 | BSB015N04NX3 G |
安装 | SMD |
R( THJC ) | 1.4K/W |
LogicLevel | NO |
包装 | WDSON-2 |
单位包 | 5000 |
标准的提前期 | 9 weeks |
最小起订量 | 5000 |
Q(克) | 107nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 180A |
V( DS ) | 40V |
的RDS(on ) at10V | 0.0015Ohm |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
供应商设备封装 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.5 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 89W |
标准包装 | 5,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 12000pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 142nC @ 10V |
封装/外壳 | 3-WDSON |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BSB015N04NX3 GCT |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 35 A |
封装/外壳 | WDSON |
零件号别名 | BSB015N04NX3GXUMA1 SP000597852 |
下降时间 | 7.6 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | BSB015N04 |
RDS(ON) | 1.5 mOhms |
功率耗散 | 2.8 W |
最低工作温度 | - 40 C |
上升时间 | 6.4 ns |
漏源击穿电压 | 40 V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
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