1. BSB015N04NX3 G
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厂商型号

BSB015N04NX3 G 

产品描述

MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

内部编号

173-BSB015N04NX3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:4383
1+¥20.066
10+¥17.9197
100+¥14.6958
500+¥11.8999
1000+¥10.0361
最小起订量:1
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#2

数量:250
最小起订金额:¥₩600
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#3

数量:3237
最小起订量:1
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BSB015N04NX3 G产品详细规格

规格书 BSB015N04NX3 G datasheet 规格书
BSB015N04NX3 G
文档 Multiple Devices 12/May/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 180A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.5 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 142nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 12000pF @ 20V
功率 - 最大 89W
安装类型 Surface Mount
包/盒 3-WDSON
供应商器件封装 MG-WDSON-2, CanPAK M™
包装材料 Tape & Reel (TR)
P( TOT ) 89W
匹配代码 BSB015N04NX3 G
安装 SMD
R( THJC ) 1.4K/W
LogicLevel NO
包装 WDSON-2
单位包 5000
标准的提前期 9 weeks
最小起订量 5000
Q(克) 107nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我(D ) 180A
V( DS ) 40V
的RDS(on ) at10V 0.0015Ohm
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 36A (Ta), 180A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 MG-WDSON-2, CanPAK M™
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.5 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 89W
标准包装 5,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 12000pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 142nC @ 10V
封装/外壳 3-WDSON
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSB015N04NX3 GCT
工厂包装数量 5000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 35 A
封装/外壳 WDSON
零件号别名 BSB015N04NX3GXUMA1 SP000597852
下降时间 7.6 ns
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
商品名 OptiMOS
配置 Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 36 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 BSB015N04
RDS(ON) 1.5 mOhms
功率耗散 2.8 W
最低工作温度 - 40 C
上升时间 6.4 ns
漏源击穿电压 40 V
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 36A (Ta), 180A (Tc)

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